-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-88 (SC-70-6)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-963
- Тип корпуса: SOT-963
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23-3
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-6
- Тип корпуса: SOT-26
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual) Matched Pair
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Тип корпуса: SC-88 (SC-70-6)
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SMT3
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 300mW
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Taiwan Semiconductor Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Тип корпуса: SOT-23
- Мощность - Макс.: 300mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100