• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 299
  • BCP54H6327XTSA1
    TRANS NPN 45V 1A SOT223-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: PG-SOT223-4-10
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1132T100R
    TRANS PNP 32V 1A MPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
    • Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZT491ATA
    TRANS NPN 40V 1A SOT223-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 500mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZTA14TC
    TRANS NPN DARL 30V 1A SOT223-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN - Darlington
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 170MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • CZT3019 BK PBFREE
    TRANS NPN 80V 1A SOT223
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BUJ100,412
    TRANS NPN 400V 1A TO92-3
    WeEn Semiconductors
    • Производитель: WeEn Semiconductors
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 9 @ 750mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP 56-10 H6433
    TRANS NPN 80V 1A SOT223-4
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: PG-SOT223-4
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP30ATU
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 3MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SCR293PHZGT100
    TRANS NPN 30V 1A SOT89
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP5416E6433HTMA1
    POWER BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: PG-SOT223-4
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP49TU
    TRANS NPN 350V 1A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 1mA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP6925TA
    TRANS PNP 20V 1A SOT223-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP5610QTC
    TRANS NPN 80V 1A SOT223-3
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1260T100P
    TRANS PNP 80V 1A MPT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: MPT3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 82 @ 100mA, 3V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TIP29CTU
    TRANS NPN 100V 1A TO220-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-220-3
    • Тип корпуса: TO-220-3
    • Мощность - Макс.: 2W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 300µA
    • Граничная частота: 3MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100