Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.5A Pmax 2W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220D-A1
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220D-A1
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 370mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 280MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220D-A1
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 330MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220D-A1
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 180V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 340MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100