Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.2A Pmax 2W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: MPT3
- Мощность - Макс.: 2W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 820 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 300nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100