Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 255mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • NSV20101JT1G
    TRANS NPN 20V 1A SC89-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-89, SOT-490
    • Тип корпуса: SC-89-3
    • Мощность - Макс.: 255mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 220mV @ 100mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 350MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100