Найдено: 509
  • BJT SOT-363 65V 100MA
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 30V 0.1A SOT23
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: PG-SOT23
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 50V 0.1A TO92
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    • Тип корпуса: TO-92
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 300 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SC74-6
    Infineon Technologies
    • Производитель: Infineon Technologies
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-74, SOT-457
    • Тип корпуса: PG-SC74-6
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN, PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3
    Diotec Semiconductor
    • Производитель: Diotec Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3 (TO-236)
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 110 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 150mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 30V 0.1A TO236AB
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 12V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 420 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GENERAL PURPOSE TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: PG-SOT323-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 30V 0.1A TO92-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-92-3
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 12V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: TO-236AB
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 60V 0.1A SOT883
    Nexperia USA Inc.
    • Производитель: Nexperia USA Inc.
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: SOT-883
    • Мощность - Макс.: 250mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: