Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 20W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 70MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 20W
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 225V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/402
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 250mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/402
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 250mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Semiconductor
- Вид монтажа: Stud Mount
- Package / Case: TO-111-4, Stud
- Тип корпуса: TO-111
- Мощность - Макс.: 20W
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 125V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 6V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 6 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 250mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/402
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 250mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3 Full Pack
- Тип корпуса: TO-220FP
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 230V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: General Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66
- Мощность - Макс.: 20W
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
- Тип корпуса: TO-66 (TO-213AA)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 225V
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: SOT-32-3
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 5 @ 1A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 330mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 1mA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/402
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 25 @ 250mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 25mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100