Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 20W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 10mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 20W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 8V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 2MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100