• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 10
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
2SC3858 TRANS NPN 200V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 200V 200W Through Hole NPN 150°C (TJ) MT-200 2.5V @ 1A, 10A 100µA (ICBO) 50 @ 8A, 4V 20MHz
2SB1648 TRANS PNP DARL 150V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 150V 200W Through Hole PNP - Darlington 150°C (TJ) MT-200 2.5V @ 1.2A, 6A 100µA (ICBO) 5000 @ 10A, 4V 45MHz
2SC3264 TRANS NPN 230V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 230V 200W Through Hole NPN 150°C (TJ) MT-200 2V @ 500mA, 5A 100µA (ICBO) 50 @ 5A, 4V 60MHz
2SC2922 TRANS NPN 180V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 180V 200W Through Hole NPN 150°C (TJ) MT-200 2V @ 800mA, 8A 100µA (ICBO) 30 @ 8V, 4V 50MHz
2SA1295 TRANS PNP 230V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 230V 200W Through Hole PNP 150°C (TJ) MT-200 2V @ 500mA, 5A 100µA (ICBO) 50 @ 5A, 4V 35MHz
2SA1216 TRANS PNP 180V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 180V 200W Through Hole PNP 150°C (TJ) MT-200 2V @ 800mA, 8A 30 @ 8A, 4V 40MHz
2SD2561 TRANS NPN DARL 150V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 150V 200W Through Hole NPN - Darlington 150°C (TJ) MT-200 2.5V @ 10mA, 10A 100µA (ICBO) 5000 @ 10A, 4V 70MHz
2SA1494 TRANS PNP 200V 17A MT-200 Sanken 3-ESIP 17A 200V 200W Through Hole PNP 150°C (TJ) MT-200 2.5V @ 1A, 10A 100µA (ICBO) 50 @ 8A, 4V 20MHz
2STA2120 TRANS PNP 250V 17A TO3P STMicroelectronics TO-3P-3, SC-65-3 17A 250V 200W Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-3P 3V @ 800mA, 8A 5µA (ICBO) 80 @ 1A, 5V 25MHz
2STC5948 TRANS NPN 250V 17A TO3P STMicroelectronics TO-3P-3, SC-65-3 17A 250V 200W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-3P 3V @ 800mA, 8A 5µA (ICBO) 80 @ 1A, 5V 25MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100