Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 200mW

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 16
  • DRDN010W-7
    TRANS NPN 18V 1A SOT363
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS4130T116
    TRANS NPN 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2444KT146R
    TRANS NPN 15V 1A SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 180 @ 50mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SA2048KT146Q
    TRANS PNP 30V 1A SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 350MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1694T106
    TRANS PNP 30V 1A UMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: UMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DVR2V5W-7
    TRANS NPN 18V 1A SOT363
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SOT-363
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN + Zener Diode (Isolated)
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 18V
    • Усиление по току (hFE): 150 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 30mA, 300mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2656T106
    TRANS NPN 30V 1A UMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: UMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS4130AHZGT116
    TRANS NPN 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 340mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1694-TP
    TRANS PNP 30V 1A SOT323
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS5130AT116
    TRANS PNP 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS4130AT116
    TRANS NPN 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SB1590KT146Q
    TRANS PNP 15V 1A SMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 15V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 20mA, 400mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2SD2656FRAT106
    TRANS NPN 30V 1A UMT3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: UMT3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS5130AHZGT116
    TRANS PNP 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BSS5130T116
    TRANS PNP 30V 1A SST3
    Rohm Semiconductor
    • Производитель: Rohm Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SST3
    • Мощность - Макс.: 200mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 270 @ 100mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 380mV @ 25mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 320MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100