-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Darlington (Dual)
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-223-8
- Тип корпуса: SM-8
- Мощность - Макс.: 2.75W
- Тип транзистора: NPN, PNP Complementary Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.75A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 5000 @ 500mA, 5V / 2000 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.28V @ 2mA, 1.75A
- Обратный ток коллектора: 500nA
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100