-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
Наименование | Описание | Производитель
|
Package / Case
|
Ток коллектора (макс)
|
Граничное напряжение КЭ(макс)
|
Мощность - Макс.
|
Вид монтажа
|
Тип транзистора
|
Рабочая температура
|
Тип корпуса
|
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
|
Обратный ток коллектора
|
Усиление по току (hFE)
|
Граничная частота
|
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSR33QTA | TRANS PNP 80V 1A SOT89-3 | Diodes Incorporated | TO-243AA | 1A | 80V | 2.1W | Surface Mount | PNP | -65°C ~ 150°C (TJ) | SOT-89-3 | 500mV @ 50mA, 500mA | 100nA (ICBO) | 100 @ 100mA, 5V | 100MHz |
PHE13003A,412 | NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP | NXP USA Inc. | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1A | 400V | 2.1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1.5V @ 250mA, 750mA | 1mA | 10 @ 400mA, 5V | |
PHE13003A,126 | TRANS NPN 400V 1A TO92-3 | WeEn Semiconductors | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 1A | 400V | 2.1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1.5V @ 250mA, 750mA | 1mA | 10 @ 400mA, 5V | |
BUJ100LR,126 | TRANS NPN 400V 1A TO92-3 | WeEn Semiconductors | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 1A | 400V | 2.1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1.5V @ 250mA, 750mA | 1mA | 10 @ 400mA, 5V | |
BUJ100LR,412 | TRANS NPN 400V 1A TO92-3 | WeEn Semiconductors | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1A | 400V | 2.1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1.5V @ 250mA, 750mA | 1mA | 10 @ 400mA, 5V | |
PHE13003A,412 | TRANS NPN 400V 1A TO92-3 | WeEn Semiconductors | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 1A | 400V | 2.1W | Through Hole | NPN | 150°C (TJ) | TO-92-3 | 1.5V @ 250mA, 750mA | 1mA | 10 @ 400mA, 5V |
- 10
- 15
- 50
- 100