-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 2 NPN, 2 PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 6mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/397
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: U4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 PNP (Quad)
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 450MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PG-SOT89
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: PG-SOT89
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 200mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
- Граничная частота: 300MHz
- 10
- 15
- 50
- 100