Найдено: 87
  • TRANS NPN 700V 0.2A TO5
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 200V 0.2A U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/397
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.2A SOT223
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 1000V 0.2A TO5
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 700V 0.2A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.6V @ 5mA, 25mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 800V 0.2A TO5
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-5
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANSISTOR
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    • Тип корпуса: 16-SOIC
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: 4 NPN (Quad)
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 450MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-226-3
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 800V 0.2A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 300V 0.2A TO226-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    • Тип корпуса: TO-226-3
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 5mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 300V 0.2A TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/397
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 700V 0.2A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 25mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Граничная частота: 250MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 1000V 0.2A TO39
    Microsemi Corporation
    • Производитель: Microsemi Corporation
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/727
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 1000V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 20mA, 10V
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: