-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Граничная частота: 60MHz
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92AP
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 400mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
- Обратный ток коллектора: 1mA
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 145MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 145MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 30MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 150MHz
-
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-SIP
- Тип корпуса: MT-2-A1
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 170 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 15mA, 150mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 1GHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-237AA
- Тип корпуса: TO-237
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- 10
- 15
- 50
- 100