• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92 (TO-226)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: E-Line-3
• Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 15mA, 150mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 250mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: MiniP3-F1
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/583
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 250mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/348
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 175°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
• Граничная частота: 175MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: E-Line-3
• Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 15mA, 150mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 300 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 400mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 750mA
• Обратный ток коллектора: 1mA

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 10µA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-226-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)

• Производитель: Fairchild Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-71
• Тип корпуса: 3-NMP
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 40mA, 400mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 120MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-SIP
• Тип корпуса: ATV
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 32V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
• Граничная частота: 150MHz