Найдено: 46
-
TRANS NPN 70V 10A TO39
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO39
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS PNP 20V 10A CPT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 180 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO-5
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 70V 10A TO39
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 70V 10A TO-39
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 170V 10A TO5
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 170V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 70V 10A TO5
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO-5
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 70V 10A TO5
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO39
Microsemi Corporation
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO5
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 120V 10A TO5
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 170V 10A TO39
Microchip Technology
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/394
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 170V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 5A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
TRANS NPN 20V 10A CPT3
Rohm Semiconductor
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: CPT3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием: