-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microchip Technology
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-276AA
- Тип корпуса: U-3 (TO-276AA)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/560
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/560
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-276AA
- Тип корпуса: U-3 (TO-276AA)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/560
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-276AA
- Тип корпуса: U-3 (TO-276AA)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100µA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100