• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
• Тип корпуса: TO-226-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 200nA
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
• Тип корпуса: PW-MOLD
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Microchip Technology
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 35 @ 200mA, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 10mA, 200mA
• Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: 3-SIP
• Тип корпуса: ATV
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-71
• Тип корпуса: 3-NMP
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 120MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 100mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/395
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: MiniP3-F1
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 10V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 400mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 190MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: MiniP3-F1
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 1.5A
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 150MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126-3
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 8000 @ 1A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/395
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: Micro Commercial Co
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
• Тип корпуса: TO-92
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
• Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 80mA, 800mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 190MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)

• Производитель: Microchip Technology
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/207
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
• Тип корпуса: TO-5
• Мощность - Макс.: 1W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1.5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
• Усиление по току (hFE): 35 @ 200mA, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 10mA, 200mA
• Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)