-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 30 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/395
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-92-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 80mA, 800mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5AA
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 55V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 200mA, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 5µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-5
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/396
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 1A, 1.5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 110V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100