Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1.2A Pmax 1W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Тип корпуса: 16-SOIC
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: 4 NPN (Quad)
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 950mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 250MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-226-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-226-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 250mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 50mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-3
- Тип корпуса: SOT-223-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Тип корпуса: TO-226-3
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 250mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 250mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-39
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 100mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
- Тип корпуса: TO-226
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 4000 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223-4
- Мощность - Макс.: 1W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1.2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 20000 @ 100mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 125MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100