Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1 µA Pmax 1W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 15
  • JANTXV2N3506AU4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3506U4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3507U4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3506AU4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N3507AU4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1.5A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3507U4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3507AU4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTXV2N3507AU4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3507AU4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3507U4
    TRANS NPN 50V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3506U4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JAN2N3506AU4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANTX2N3506U4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • JANS2N3506AU4
    TRANS NPN 40V 1UA U4
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Серия: Military, MIL-PRF-19500/349
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: 3-SMD, No Lead
    • Тип корпуса: U4
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 2N3507A
    TRANS NPN 50V 1UA TO39
    Microchip Technology
    • Производитель: Microchip Technology
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
    • Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    • Тип корпуса: TO-39 (TO-205AD)
    • Мощность - Макс.: 1W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1 µA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 1.5A, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 1µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100