Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 18A Pmax 180W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 2
  • TTA0002(Q)
    TRANS PNP 160V 18A TO3P
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3PL
    • Тип корпуса: TO-3P(L)
    • Мощность - Макс.: 180W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 18A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TTC0002(Q)
    TRANS NPN 160V 18A TO3P
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-3PL
    • Тип корпуса: TO-3P(L)
    • Мощность - Макс.: 180W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 18A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
    • Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 900mA, 9A
    • Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
    • Граничная частота: 30MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100