-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218 Isolated
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 10A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 3MHz
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 5A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 250mA, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 15A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 3MHz
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A
- Обратный ток коллектора: 200µA
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218 Isolated
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 15A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 50MHz
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 3MHz
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
- Тип корпуса: TO-218 Isolated
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 15A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 50MHz
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 6V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 3V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 15A
- Обратный ток коллектора: 500µA
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/525
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
- Мощность - Макс.: 175W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 12 @ 5A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A
- 10
- 15
- 50
- 100