Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 10A Pmax 175W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 1
  • MJ16018
    SILICON TRANSISTOR NPN
    Solid State Inc.
    • Производитель: Solid State Inc.
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-204AA, TO-3
    • Тип корпуса: TO-3
    • Мощность - Макс.: 175W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 10A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
    • Усиление по току (hFE): 4 @ 5A, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 5A, 10A
    • Обратный ток коллектора: 250µA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100