• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 500 @ 100µA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 700MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: onsemi
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 250MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 300MHz, 250MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
• Тип корпуса: SC-88/SC70-6/SOT-363
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: Rohm Semiconductor
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-563, SOT-666
• Тип корпуса: EMT6
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN, PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 400MHz, 350MHz

• Производитель: Diodes Incorporated
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-523
• Тип корпуса: SOT-523
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 300MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
• Мощность - Макс.: 150mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 10mA, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
• Граничная частота: 250MHz