Найдено: 563
  • TRANS PNP 300V 0.15A SC59
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SC-59
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 25 @ 30mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
    • Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 45V 0.1A SMINI3
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SMini3-G1
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 80MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 50V 0.15A SOT523
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 30V 0.5A SMINI
    Toshiba Semiconductor and Storage
    • Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 125°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: S-Mini
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 50V 0.15A SOT523
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 140MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SC-70-3 (SOT323)
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 210 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • DIODE
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
    • Тип корпуса: SOT-353
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Ток коллектора (макс): 150mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP GP 50V 100MA SC-75
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-75, SOT-416
    • Тип корпуса: SC-75, SOT-416
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 120 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
    • Граничная частота: 140MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 30V 0.5A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 500mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
    • Усиление по току (hFE): 70 @ 100mA, 1V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 200MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 50V 0.1A SOT23-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Тип корпуса: SOT-23-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 135 @ 1mA, 6V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 180MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS 2NPN 50V 0.1A SMINI6
    Panasonic Electronic Components
    • Производитель: Panasonic Electronic Components
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    • Тип корпуса: SMINI6-G1
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
    • Усиление по току (hFE): 160 @ 2mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 150MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 40V 0.6A SOT523
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-523
    • Тип корпуса: SOT-523
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 600mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 10nA (ICBO)
    • Граничная частота: 300MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3
    Micro Commercial Co
    • Производитель: Micro Commercial Co
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Package / Case: SC-101, SOT-883
    • Тип корпуса: DFN1006-3
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
    Comchip Technology
    • Производитель: Comchip Technology
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SC-70, SOT-323
    • Тип корпуса: SOT-323
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 65V
    • Усиление по току (hFE): 220 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT56
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: SOT-563, SOT-666
    • Тип корпуса: SOT-563
    • Мощность - Макс.: 150mW
    • Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
    • Ток коллектора (макс): 100mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
    • Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
    • Обратный ток коллектора: 15nA (ICBO)
    • Граничная частота: 100MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: