-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-247-3
- Тип корпуса: TO-247-3
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 125W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 16A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 160V
- Усиление по току (hFE): 15 @ 8A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 2A, 16A
- Обратный ток коллектора: 750µA
- Граничная частота: 1MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100