• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
• Тип корпуса: TO-3PN
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 15A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 750V
• Усиление по току (hFE): 8 @ 10A, 3V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 15A
• Обратный ток коллектора: 500µA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A
• Обратный ток коллектора: 200µA

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 700V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 4.5A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 7MHz

• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 25A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 10 @ 15A, 4V
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: Microsemi Corporation
• Серия: Military, MIL-PRF-19500/498
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-204AA (TO-3)
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 3A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A
• Обратный ток коллектора: 50µA

• Производитель: Harris Corporation
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-204AA, TO-3
• Тип корпуса: TO-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 20A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2A, 20A
• Обратный ток коллектора: 250µA (ICBO)

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Through Hole
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Граничная частота: 60MHz

• Производитель: onsemi
• Серия: SWITCHMODE™
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-220-3
• Тип корпуса: TO-220
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
• Усиление по току (hFE): 14 @ 1A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 900mA, 4.5V
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 13MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 25A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 15A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 4V @ 5A, 25A
• Обратный ток коллектора: 1mA
• Граничная частота: 3MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: NTE Electronics, Inc
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 12A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
• Усиление по току (hFE): 18 @ 5A, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 2.4A, 12A

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247-3
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 8A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
• Усиление по току (hFE): 15 @ 4A, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 1.6A, 8A
• Обратный ток коллектора: 10µA
• Граничная частота: 4MHz

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-247-3
• Тип корпуса: TO-247
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: PNP - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA

• Производитель: STMicroelectronics
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-218-3
• Тип корпуса: TO-218
• Мощность - Макс.: 125W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 1000 @ 5A, 4V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 2mA