Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 12A Pmax 120W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PB
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P-3L
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PB
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100