- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P-3L
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 8A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Граничная частота: 8MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PB
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 50µA
- Граничная частота: 6MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 10A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 550V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 6MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 12A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 24mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 20MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 2A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2A, 10A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Серия: ESBC™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 200mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: ESBC™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 125°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 800V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 200mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 1.5A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P-3L
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Bourns Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-218-3
- Тип корпуса: SOT-93
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 6A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 450V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 500mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.2A, 6A
- Обратный ток коллектора: 50µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Sanken
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3P
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 25A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 12A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 24mA, 12A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
- Тип корпуса: TO-3PB
- Мощность - Макс.: 120W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 12A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 2.5V @ 500mA, 5A
- Обратный ток коллектора: 100µA (ICBO)
- Граничная частота: 15MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100