- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: SOT-353
- Мощность - Макс.: 120mW
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 320MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: UMT5
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: NPN + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 320MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SC-75, SOT-416
- Тип корпуса: SSM
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 120 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rohm Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
- Тип корпуса: UMT5
- Мощность - Макс.: 120mW
- Тип транзистора: PNP + Diode (Isolated)
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 260MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100