Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 15A Pmax 115W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100µA
- Граничная частота: 18MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 70V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 10 @ 4A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 6MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Solid State Inc.
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
- Граничная частота: 2.5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Chassis Mount
- Рабочая температура: 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-3
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-204AA, TO-3
- Тип корпуса: TO-204 (TO-3)
- Мощность - Макс.: 115W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 4A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.1V @ 400mA, 4A
- Обратный ток коллектора: 700µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100