• Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
2SB09680RL TRANS PNP 40V 1.5A U-G2 Panasonic Electronic Components TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 40V 10W Surface Mount PNP 150°C (TJ) U-G2 1V @ 150mA, 1.5A 100µA 120 @ 1A, 5V 150MHz
2SD12950RL TRANS NPN 40V 1.5A U-G2 Panasonic Electronic Components TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 40V 10W Surface Mount NPN 150°C (TJ) U-G2 1V @ 150mA, 1.5A 100µA 80 @ 1A, 5V 150MHz
2SA0963 TRANS PNP 40V 1.5A TO126A-A1 Panasonic Electronic Components TO-225AA, TO-126-3 1.5A 40V 10W Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-126A-A1 1V @ 150mA, 1.5A 100µA 80 @ 1A, 5V 150MHz
2SB1275TLP TRANS PNP 160V 1.5A CPT3 Rohm Semiconductor TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 160V 10W Surface Mount PNP 150°C (TJ) CPT3 2V @ 100mA, 1A 1µA (ICBO) 82 @ 100mA, 5V 50MHz
2SD1918TLQ TRANS NPN 160V 1.5A CPT3 Rohm Semiconductor TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 160V 10W Surface Mount NPN 150°C (TJ) CPT3 2V @ 100mA, 1A 1µA (ICBO) 120 @ 100mA, 5V 80MHz
TTC004B,Q TRANS NPN 160V 1.5A TO126N Toshiba Semiconductor and Storage TO-225AA, TO-126-3 1.5A 160V 10W Through Hole NPN 150°C (TJ) TO-126N 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 140 @ 100mA, 5V 100MHz
TTA004B,Q TRANS PNP 160V 1.5A TO126N Toshiba Semiconductor and Storage TO-225AA, TO-126-3 1.5A 160V 10W Through Hole PNP 150°C (TJ) TO-126N 500mV @ 50mA, 500mA 100nA (ICBO) 140 @ 100mA, 5V 100MHz
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100