• Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: SC-70, SOT-323
• Тип корпуса: SC-70
• Мощность - Макс.: 100mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: ML3-N2
• Мощность - Макс.: 100mW
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 80MHz

• Производитель: Panasonic Electronic Components
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 125°C (TJ)
• Package / Case: SC-101, SOT-883
• Тип корпуса: ML3-N2
• Мощность - Макс.: 100mW
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 180 @ 2mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
• Обратный ток коллектора: 100µA
• Граничная частота: 100MHz