Биполярные транзисторы (BJT) Pmax 100mW | Транзисторы

Выводить по:

Списком Таблицей

Найдено: 108

HN1B04FE-GR,LF

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
DSA340200L

TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: SSSMini3-F2-B
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 300MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FJZ733OTF

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR

Rochester Electronics, LLC
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-623F
- Тип корпуса: SOT-623F
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
FJZ733LTF

TRANS PNP 50V 0.15A SOT623F

onsemi
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-623F
- Тип корпуса: SOT-623F
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 350 @ 1mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 180MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KTA2014-O-TP

TRANS PNP 50V 0.15A SOT323

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 70 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC6036G0L

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: SSSMini3-F2
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC4215-Y-TP

TRANS NPN 30V 0.02A SOT323

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 6V
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 550MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC603600L

TRANS NPN 12V 0.5A SSSMINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: SSSMini3-F1
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SA216200L

TRANS PNP 12V 0.5A SSSMINI3

Panasonic Electronic Components
- Производитель: Panasonic Electronic Components
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SOT-723
- Тип корпуса: SSSMini3-F1
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 270 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 200MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HN2C01FE-GR(T5L,F)

TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 NPN (Dual)
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 60MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
HN1A01FE-GR,LF

TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-563, SOT-666
- Тип корпуса: ES6
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: 2 PNP (Dual)
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC4215-R-TP

TRANS NPN 30V 0.02A SOT323

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 20mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 30V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 1mA, 6V
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 550MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
KTC4075-BL-TP

TRANS NPN 50V 0.15A SOT323

Micro Commercial Co
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SOT-323
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 150mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 350 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SA1954-A(TE85L,F)

TRANS PNP 12V 0.5A SC70

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 12V
- Усиление по току (hFE): 300 @ 10mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
2SC4117-BL,LF

TRANS NPN 120V 0.1A SC70

Toshiba Semiconductor and Storage
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 125°C (TJ)
- Package / Case: SC-70, SOT-323
- Тип корпуса: SC-70
- Мощность - Макс.: 100mW
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 2mA, 6V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка
- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:

Выводить по: