Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 15A Pmax 1.8W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NTE Electronics, Inc
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220-3
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Rochester Electronics, LLC
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-220-3
- Тип корпуса: TO-220AB
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 20 @ 5A, 4V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 1mA
- Граничная частота: 5MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100