-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 30mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
- Тип корпуса: TO-18
- Мощность - Макс.: 1.8W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 250nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100