Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 100mA Pmax 1.7W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Harris Corporation
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-202 Long Tab
- Тип корпуса: TO-202AB
- Мощность - Макс.: 1.7W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 100mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 20mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 2mA, 20mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100