Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 1A Pmax 1.6W

    • Тип корпуса
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
    • Обратный ток коллектора
    • Усиление по току (hFE)
    • Граничная частота
    • Серия
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100
Списком Таблицей
Найдено: 4
  • BCP53-16
    TRANS PNP 80V 1A SOT223
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1.6W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 50MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • FZT957QTC
    PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT223
    Diodes Incorporated
    • Производитель: Diodes Incorporated
    • Серия: Automotive, AEC-Q101
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223-3
    • Мощность - Макс.: 1.6W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 240mV @ 300mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 50nA
    • Граничная частота: 85MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • STN2580
    TRANS NPN 400V 1A SOT-223
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1.6W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 250mA, 5V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • BCP56-16
    TRANS NPN 80V 1A SOT223
    STMicroelectronics
    • Производитель: STMicroelectronics
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
    • Тип корпуса: SOT-223
    • Мощность - Макс.: 1.6W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • 10
  • 15
  • 50
  • 100