Найдено: 7
Наименование Описание Производитель
Package / Case
Ток коллектора (макс)
Граничное напряжение КЭ(макс)
Мощность - Макс.
Вид монтажа
Тип транзистора
Рабочая температура
Тип корпуса
Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
Обратный ток коллектора
Усиление по току (hFE)
Граничная частота
Серия
DXT13003EK-13 TRANS NPN 460V 1.5A TO252-3 Diodes Incorporated TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 460V 1.6W Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3 400mV @ 250mA, 1A 15 @ 300mA, 2V 4MHz
DXT13003DK-13 TRANS NPN 450V 1.5A TO252-3 Diodes Incorporated TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 1.5A 450V 1.6W Surface Mount NPN -55°C ~ 150°C (TJ) TO-252-3 400mV @ 250mA, 1A 16 @ 500mA, 2V 4MHz
STN715 TRANS NPN 80V 1.5A SOT223 STMicroelectronics TO-261-4, TO-261AA 1.5A 80V 1.6W Surface Mount NPN SOT-223 500mV @ 100mA, 1A 1mA 40 @ 1A, 2V 50MHz
STN93003 TRANS PNP 400V 1.5A SOT223 STMicroelectronics TO-261-4, TO-261AA 1.5A 400V 1.6W Surface Mount PNP 150°C (TJ) SOT-223 500mV @ 100mA, 500mA 1mA 16 @ 350mA, 5V
STN83003 TRANS NPN 400V 1.5A SOT223 STMicroelectronics TO-261-4, TO-261AA 1.5A 400V 1.6W Surface Mount NPN 150°C (TJ) SOT-223 500mV @ 100mA, 500mA 1mA 16 @ 350mA, 5V
STN817A TRANS PNP 80V 1.5A SOT223 STMicroelectronics TO-261-4, TO-261AA 1.5A 80V 1.6W Surface Mount PNP -65°C ~ 150°C (TJ) SOT-223 500mV @ 100mA, 1A 1mA 30 @ 1A, 2V 50MHz
TPC6503(TE85L,F,M) TRANS NPN 30V 1.5A VS-6 Toshiba Semiconductor and Storage SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 1.5A 30V 1.6W Surface Mount NPN 150°C (TJ) VS-6 (2.9x2.8) 120mV @ 10mA, 500mA 100nA (ICBO) 400 @ 150mA, 2V U-MOSVII