-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
- Тип корпуса: TO-92MOD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 60 @ 250mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Тип корпуса: PG-TSOP6-6
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 85 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: Microsemi Corporation
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 175V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 150mV
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
-
- Производитель: Microchip Technology
- Серия: Military, MIL-PRF-19500/357
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: 3-SMD, No Lead
- Тип корпуса: 3-SMD
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 140V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 50mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
- Обратный ток коллектора: 10µA
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 200MHz
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: PG-SOT223-4-21
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP - Darlington
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 45V
- Усиление по току (hFE): 2000 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 10µA
- Граничная частота: 200MHz
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 40 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
-
- Производитель: Micro Commercial Co
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
-
- Производитель: onsemi
- Серия: Automotive, AEC-Q101
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223 (TO-261)
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
- 10
- 15
- 50
- 100