Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 15A Pmax 1.5W
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 1.5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 10A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 600mV @ 1.5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 105MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: NXP Semiconductors
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 175°C (TJ)
- Package / Case: SC-100, SOT-669
- Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
- Мощность - Макс.: 1.5W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 15A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 850mV @ 1.5A, 15A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 80MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100