Найдено: 28
  • TRANS PNP 350V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 250V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 350V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 100µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: TO-252-3 (DPAK)
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 250V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89-3
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
    • Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 130MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 1A DPAK
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 250V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 250V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 40V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
    • Усиление по току (hFE): 15 @ 1A, 4V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 700mV @ 125mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 50µA
    • Граничная частота: 3MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: D-Pak
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 1A DPAK
    Central Semiconductor Corp
    • Производитель: Central Semiconductor Corp
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 400V 1A DPAK
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    • Тип корпуса: DPAK
    • Мощность - Макс.: 1.56W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 1A
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 300mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
    • Обратный ток коллектора: 200µA
    • Граничная частота: 10MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: