- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 150 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 3.5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 120MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 3A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 160 @ 1A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 130MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Infineon Technologies
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 50MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Серия: SWITCHMODE™
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
- Тип корпуса: TO-126
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1.5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 8 @ 500mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 3V @ 500mA, 1.5A
- Граничная частота: 10MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Fairchild Semiconductor
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: D-Pak
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Тип корпуса: DPAK
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 25V
- Усиление по току (hFE): 45 @ 2A, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1A, 5A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 65MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 1V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 140MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 50 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: STMicroelectronics
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89-3
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 5A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 135 @ 2A, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 3A
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Panjit International Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-243AA
- Тип корпуса: SOT-89
- Мощность - Макс.: 1.4W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 100V
- Усиление по току (hFE): 140 @ 150mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 450mV @ 100mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 500nA (ICBO)
- Граничная частота: 100MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100