- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Toshiba Semiconductor and Storage
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
- Тип корпуса: PS-8
- Мощность - Макс.: 1.48W
- Тип транзистора: NPN, PNP
- Ток коллектора (макс): 1A, 800mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
- Усиление по току (hFE): 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100