- Мощность - Макс.
- Ток коллектора (макс)
- Граничное напряжение КЭ(макс)
-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.45W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 35 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 250mV @ 200mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 25MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Central Semiconductor Corp
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
- Package / Case: 3-TDFN Exposed Pad
- Тип корпуса: TLM322
- Мощность - Макс.: 1.45W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1mA, 5V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 150MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.45W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 500mA
- Граничное напряжение КЭ(макс): 400V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 300mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 320mV @ 100mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 30MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.45W
- Тип транзистора: NPN
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 1A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 280mV @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 33MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Nexperia USA Inc.
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
- Тип корпуса: SOT-223
- Мощность - Макс.: 1.45W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 2A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 150V
- Усиление по току (hFE): 80 @ 1A, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 350mV @ 400mA, 2A
- Обратный ток коллектора: 100nA
- Граничная частота: 35MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100