Полупроводники, Транзисторы, Биполярные транзисторы (BJT) IC(MAX) 200mA Pmax 1.3W

Найдено: 8
  • TRANS NPN 120V 0.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 300V 0.2A SOT89-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 15MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
    Rochester Electronics, LLC
    • Производитель: Rochester Electronics, LLC
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 0.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 0.2A TO126-3
    Fairchild Semiconductor
    • Производитель: Fairchild Semiconductor
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 0.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS NPN 120V 0.2A TO126-3
    onsemi
    • Производитель: onsemi
    • Вид монтажа: Through Hole
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
    • Тип корпуса: TO-126-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: NPN
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
    • Усиление по току (hFE): 60 @ 10mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 400MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием:
  • TRANS PNP 200V 0.2A SOT89-3
    NXP USA Inc.
    • Производитель: NXP USA Inc.
    • Вид монтажа: Surface Mount
    • Рабочая температура: 150°C (TJ)
    • Package / Case: TO-243AA
    • Тип корпуса: SOT-89-3
    • Мощность - Макс.: 1.3W
    • Тип транзистора: PNP
    • Ток коллектора (макс): 200mA
    • Граничное напряжение КЭ(макс): 200V
    • Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 10V
    • Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
    • Граничная частота: 15MHz
    Информация с рынка
    • Всего складов:
    • Всего предложений:
    • Предложений с ценой:
    • Предложений с наличием: