• Производитель: Rochester Electronics, LLC
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SC-74, SOT-457
• Тип корпуса: 6-CPH
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 500MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
• Тип корпуса: SOT-223
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 100mA, 5V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 100MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 63 @ 150mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 145MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: PCP
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 290mV @ 100mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 380MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: PCP
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 4A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 50V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 225mV @ 100mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 1µA (ICBO)
• Граничная частота: 400MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126-3
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 120V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 10mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1V @ 3mA, 30mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 400MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
• Тип корпуса: 6-CPH
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 3A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 20V
• Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 500MHz

• Производитель: NXP USA Inc.
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89-3
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 200mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Усиление по току (hFE): 30 @ 50mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 750mV @ 5mA, 50mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 15MHz

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: SC-100, SOT-669
• Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 240 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 800mV @ 500mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 97MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 130MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 100mA
• Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
• Усиление по току (hFE): 40 @ 30mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 50MHz

• Производитель: Nexperia USA Inc.
• Серия: Automotive, AEC-Q101
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN - Darlington
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 2000 @ 500mA, 10V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 50nA
• Граничная частота: 200MHz

• Производитель: Central Semiconductor Corp
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: -65°C ~ 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-243AA
• Тип корпуса: SOT-89
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 1A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 80V
• Усиление по току (hFE): 100 @ 150mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
• Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
• Граничная частота: 130MHz

• Производитель: NXP Semiconductors
• Вид монтажа: Surface Mount
• Рабочая температура: 175°C (TJ)
• Package / Case: SC-100, SOT-669
• Тип корпуса: LFPAK56, Power-SO8
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: NPN
• Ток коллектора (макс): 10A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 40V
• Усиление по току (hFE): 230 @ 500mA, 2V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 460mV @ 500mA, 10A
• Обратный ток коллектора: 100nA
• Граничная частота: 128MHz

• Производитель: onsemi
• Вид монтажа: Through Hole
• Рабочая температура: 150°C (TJ)
• Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
• Тип корпуса: TO-126-3
• Мощность - Макс.: 1.3W
• Тип транзистора: PNP
• Ток коллектора (макс): 5A
• Граничное напряжение КЭ(макс): 60V
• Усиление по току (hFE): 160 @ 2A, 1V
• Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 300mV @ 200mA, 2A
• Обратный ток коллектора: 10µA (ICBO)