-
- Тип корпуса
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic
- Обратный ток коллектора
- Усиление по току (hFE)
- Граничная частота
- Серия
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: onsemi
- Вид монтажа: Surface Mount
- Рабочая температура: 150°C (TJ)
- Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
- Тип корпуса: 5-CPH
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: NPN, PNP (Emitter Coupled)
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 80V, 50V
- Усиление по току (hFE): 200 @ 100mA, 2V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 190mV @ 10mA, 500mA
- Обратный ток коллектора: 100nA (ICBO)
- Граничная частота: 420MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
-
- Производитель: Diodes Incorporated
- Вид монтажа: Through Hole
- Рабочая температура: -55°C ~ 200°C (TJ)
- Package / Case: E-Line-3, Formed Leads
- Тип корпуса: E-Line (TO-92 compatible)
- Мощность - Макс.: 1.2W
- Тип транзистора: PNP
- Ток коллектора (макс): 1A
- Граничное напряжение КЭ(макс): 300V
- Усиление по току (hFE): 100 @ 500mA, 10V
- Напряжение насыщения (макс) @ Ib, Ic: 200mV @ 300mA, 1A
- Обратный ток коллектора: 50nA (ICBO)
- Граничная частота: 85MHz
Информация с рынка- Всего складов:
- Всего предложений:
- Предложений с ценой:
- Предложений с наличием:
- 10
- 15
- 50
- 100